Erfolgreiche Promotion von Stefan Hain

Erfolgreiche Promotion von Stefan Hain

27.03.2018

Leistungsfähigkeit und Kurzschlussschutz von spätentsättigenden Micro Pattern Trench IGBTs

Die Effizienz von Halbleitertransistoren bestimmt maßgeblich den Wirkungsgrad von leistungselektronischen Systemen. In dieser Dissertation wird untersucht, wie die Leistungsfähigkeit von 1200V IGBTs durch eine MPT‐Steuerkopfstruktur in Verbindung mit einer maximal erhöhten Kanalweite gesteigert werden kann.
Da durch den damit verbundenen, stark erhöhten Entsättigungsstrom eine Desat‐Kurzschlusserkennung nicht mehr angewendet werden kann, wird in dieser Arbeit eine neuartige, extrem schnelle Kurzschlussdetektion vorgestellt, welche es erlaubt das Potential von spätentsättigenden MPT‐IGBTs vollständig auszuschöpfen.